| 发明名称 | 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制作于P型衬底表面的P型外延层中，并通过P型外延层实现自隔离；在高压器件下方的P型衬底和P型外延层之间具有N型埋层，在低压器件下方的两侧P型外延层可有(或没有)N型埋层。本发明通过引入N型埋层实现相同击穿电压下可以使用更低电阻率的硅片作为衬底，避免了采用区熔FZ法制造的单晶硅片带来的芯片制造成本的增加，从而降低了芯片的制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102194818A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110105545.5 | 申请日期 | 2011.04.26 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 乔明;银杉;赵远远;何逸涛;胡曦;王猛;庄翔 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人 | 葛启函 |
| 主权项 | 一种基于P型外延层的BCD集成器件，包括集成于同一P型衬底(1)上的高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件；其特征在于：所述高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件制作于P型衬底表面的P型外延层(4)中，并通过P型外延(4)形成器件之间的自隔离；在高压nLDMOS器件下方的P型衬底(1)和P型外延层(4)之间具有第一N型埋层(2)，在高压nLIGBT器件下方的P型衬底(1)和P型外延层(4)之间具有第二N型埋层(3)。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||