| 发明名称 | 表现双耗尽的高电子迁移率晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。 | ||
| 申请公布号 | CN102194867A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110051882.0 | 申请日期 | 2011.03.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 黄仁俊;金钟燮;崔赫洵;洪起夏;申在光;吴在浚 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;薛义丹 |
| 主权项 | 一种高电子迁移率晶体管，包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极，其中，双耗尽区域存在于源极和漏极之间。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||