| 发明名称 | 一种电流均匀分布的LED晶片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种电流均匀分布的LED晶片，包括N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层；形成于发光层上的P型半导体层，所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极，其特征在于，所述沟槽为一对称的“E”形沟槽，所述对称的“E”形沟槽布满所述N型半导体层上，所述负电极设置在所述对称的“E”形沟槽上对应形成对称的“E”形负电极，所述正电极环绕在所述对称的“E”形负电极的周围。本实用新型具有散热均匀、出光效率高、使用寿命长等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN201985157U | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201120036384.4 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 广东银雨芯片半导体有限公司 | 发明人 | 樊邦扬;叶国光;梁伏波;杨小东;孔利平 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种电流均匀分布的LED晶片，包括N型半导体层，形成于N型半导体层上的发光层，形成于发光层上的P型半导体层，所述P型半导体层表面设置有与N型半导体层连通的沟槽，形成于所述沟槽的负电极以及形成于P型半导体层的正电极，其特征在于：所述沟槽为一对称的“E”形沟槽，所述对称的“E”形沟槽布满所述N型半导体层上，所述负电极设置在所述对称的“E”形沟槽上对应形成对称的“E”形负电极，所述正电极环绕在所述对称的“E”形负电极的周围。 | ||
| 地址 | 529700 广东省江门市高新区科苑西路1号 | ||