| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶片半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成具有氧化层-氮化层-氧化层叠层结构的侧壁层；对晶片表面进行氢氟酸处理。采用本发明的方法能够大大减少侧壁层形成之后晶片表面的氧化物杂质缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN102194679A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010130286.7 | 申请日期 | 2010.03.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李强 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶片半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成具有氧化层‑氮化层‑氧化层叠层结构的侧壁层；对晶片表面进行氢氟酸处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||