发明名称 多晶硅薄膜检查方法及其装置
摘要 本发明提供一种多晶硅薄膜检查方法及其装置。本发明为了能够在光学上观察多晶硅薄膜的表面状态,检查多晶硅薄膜的结晶状态,向在表面上形成了多晶硅薄膜的基板照射光,拍摄从被照射光的多晶硅薄膜的表面产生的一阶衍射光的像,对拍摄到的一阶衍射光的像的图像进行处理,检查多晶硅薄膜的结晶状态,进行图像处理,将检查到的一阶衍射光的像与检查的结果的信息一同显示在画面上。
申请公布号 CN102192908A 申请公布日期 2011.09.21
申请号 CN201110040969.8 申请日期 2011.02.17
申请人 株式会社日立高新技术 发明人 岩井进;吉武康裕;村松刚
分类号 G01N21/84(2006.01)I;G01N21/95(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G01N21/84(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;郭凤麟
主权项 一种多晶硅薄膜检查装置,其特征在于,具备:光照射单元,其对在表面上形成了多晶硅薄膜的基板照射光;摄像单元,其拍摄从被该光照射单元照射了光的所述多晶硅薄膜的表面产生的一阶衍射光的像;图像处理单元,其对该摄像单元拍摄得到的所述一阶衍射光的像进行处理,检查所述多晶硅薄膜的结晶状态;以及输出单元,其将该图像处理单元处理后的所述一阶衍射光的像与所述检查的结果的信息一同显示在画面上。
地址 日本东京都