| 发明名称 | 半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体布线用阻挡膜，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成；及一种用于形成半导体布线用阻挡膜的烧结体溅射靶，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，其特征在于，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成，并且靶的组织包括W基质以及存在于W基质中的Ni粒子，具有W扩散到该Ni粒子中的组织。本发明的课题在于提供不依赖于溅射时的氮化反应，靶本身与阻挡膜具有相同组成，并且可以有效防止半导体器件的反应，再者溅射时不产生粉粒，特别是作为阻挡膜有用，并且在该阻挡膜形成时具有优良的特性的溅射靶及该靶的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102197155A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201080003041.6 | 申请日期 | 2010.04.05 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 仙田真一郎;山越康广;伊藤顺一 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B22F3/14(2006.01)I;C22C27/04(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种半导体布线用阻挡膜，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||