发明名称 半导体发光器件
摘要 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例,一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
申请公布号 CN102194953A 申请公布日期 2011.09.21
申请号 CN201010274410.7 申请日期 2010.09.07
申请人 株式会社东芝 发明人 木村重哉;佐藤泰辅;伊藤俊秀;冈俊行;布上真也
分类号 H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 杨晓光;于静
主权项 一种半导体发光器件,包括:层叠的结构体,其包括:第一导电类型的第一半导体层,所述第一半导体层具有主表面、设置在所述主表面上的第一部分和设置在所述主表面上的第二部分;第二导电类型的第二半导体层,所述第二半导体层被设置在所述第一部分上;以及发光部,其被设置在所述第一半导体层的所述第一部分与所述第二半导体层之间,第一电极,其被设置在所述第一半导体层的所述第二部分上;第二电极,其被设置在所述第二半导体层上,所述第一电极包括:第一衬垫部;以及第一延伸部,其从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸,所述第一延伸部包括第一宽度增大部,所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
地址 日本东京都