晶片对准的方法

摘要

本发明提供一种晶片对准的方法。首先，提供晶片，包含第一材料层和第二材料层，第二材料层位于第一材料层上，其中第一材料层包含第一对准标记，然后，在曝光机台中，测量第一对准标记的位置，之后，图案化第二材料层，并且通过图案化的第二材料层形成第二对准标记，接着，在曝光机台中，测量第二对准标记和第一对准标记之间的偏移量，最后，通过该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量，重新设定曝光参数。根据本发明，利用对准标记进行各层材料层之间相对位置误差的测量，并且此测量皆是使用相同的曝光机台进行，因为不需使用已知的叠对机台，所以可以避免不同机台本身的误差值影响测量结果。

主权项

一种晶片对准的方法，包含：提供晶片，包含第一材料层和第二材料层，该第一材料层包含第一对准标记，其特征在于，该第二材料层位于该第一材料层上；于曝光机台中，以该第一对准标记为基准，图案化该第二材料层，以于该第二材料层上形成第二对准标记；于该曝光机台中，测量该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量；以及通过该第二对准标记和该第一对准标记之间的偏移量，重新设定曝光参数。