| 发明名称 | 制作半导体器件间隙壁的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制作半导体器件间隙壁的方法，包括：提供一衬底，该衬底的表面具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成间隙壁材料层；以及使用包含碳氟化合物和惰性气体但不包含氧气的刻蚀气体对所述氧化物层和所述间隙壁材料层进行刻蚀，以形成间隙壁，其中，所述碳氟化合物与所述惰性气体的流速比为0.1-1。根据本发明的方法能够有效解决密集区和非密集区间隙壁厚度不均匀的问题，改善了器件的电学性能，使器件在不同环境下运行速度均匀，从而提高良品率。 | ||
| 申请公布号 | CN102194677A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010124693.7 | 申请日期 | 2010.03.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 沈满华;黄敬勇;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种制作半导体器件间隙壁的方法，所述方法依次包括下列步骤：提供一衬底，该衬底的表面具有栅极结构；在所述衬底及所述栅极结构上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成间隙壁材料层；以及使用包含碳氟化合物和惰性气体但不包含氧气的刻蚀气体对所述氧化物层和所述间隙壁材料层进行刻蚀，以形成间隙壁，其中，所述碳氟化合物与所述惰性气体的流速比为0.1‑1。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||