| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，所述器件在漏极区一侧的栅电极的侧壁有金属侧墙，所述金属侧墙由Ta等金属形成，具有吸氧效应，有效减小了漏极区一侧的EOT，因此有效提升了短沟道控制的控制能力，此外，由于源极区一侧的EOT较大，不会因此使器件的载流子迁移率退化。此外，这种非对称的器件可具有更好的驱动性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102194870A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010129453.6 | 申请日期 | 2010.03.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 张磊 |
| 主权项 | 一种半导体器件，所述器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的栅堆叠，所述栅堆叠包括界面层、栅介质层和栅电极；形成于所述半导体衬底内且位于所述栅堆叠两侧的源极区和漏极区；形成于所述栅介质层上且位于漏极区一侧的金属侧墙。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||