| 发明名称 | 导电/超导材料的制造方法和由该方法制造的导电/超导材料 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造导电/超导晶体材料的方法和用该方法制造的导电/超导晶体材料。根据本发明的一个实施例的该方法包括：在所述导电/超导晶体材料中加入受主掺杂物，使所形成的受主掺杂能带的底部与所述导电/超导晶体材料的满带顶部的距离等于或略小于hωM/(2π)，其中ωM是该导电/超导晶体材料中的光学波的最大频率，h是普朗克常数。根据本发明的另一个实施例的该方法包括：在所述导电/超导晶体材料中加入施主掺杂物，使所形成的施主掺杂能带的顶部与所述导电/超导晶体材料的导带底部的距离等于或略小于hωM/(2π)。 | ||
| 申请公布号 | CN102194550A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010116943.2 | 申请日期 | 2010.03.02 |
| 申请人 | 田多贤 | 发明人 | 李强 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金恒联合知识产权代理事务所 11324 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 制造导电/超导晶体材料的方法，其特征在于包括，在所述导电/超导晶体材料中加入受主掺杂物，使所形成的受主掺杂能带的底部与所述导电/超导晶体材料的满带顶部的距离等于或略小于hωM/(2π)，其中ωM是该导电/超导晶体材料中的光学波的最大频率，h是普朗克常数。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路37号15宅501室 | ||