发明名称 评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法
摘要 本发明提供评价半导体芯片的技术。具体而言,本发明提供评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法。半导体芯片在硅基板的一个面层叠:由多个区域构成的作为电阻测温元件的金属配线膜(101)及由一个或多个区域构成的作为加热器的金属配线膜(102)中的至少一种;以及用于将金属配线膜(101)及金属配线膜(102)与安装基板连接的电极(103)。通过将半导体芯片安装于安装基板,且将金属配线膜(101)与电流表及电压表电连接,将金属配线膜(102)与电源电连接,提供能够评价在半导体芯片的上述各区域中的测温及加热以及其温度曲线的评价系统。
申请公布号 CN102192921A 申请公布日期 2011.09.21
申请号 CN201110047399.5 申请日期 2011.02.24
申请人 日立化成工业株式会社 发明人 长谷部健彦;加藤薰子;山口欣秀;西龟正志;松岛直树;稻田祯一;山本礼;天明浩之;池田宇亨
分类号 G01N25/00(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I 主分类号 G01N25/00(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 张敬强;武也平
主权项 一种评价系统,用于评价半导体芯片,其特征在于,具有:半导体芯片,该半导体芯片在半导体基板的一个面具有由多个区域构成的作为电阻测温元件的第一配线和由一个或多个区域构成的作为加热器的第二配线中的至少一种、和用于电连接上述第一配线及第二配线的电极;安装该半导体芯片的安装基板;以及在上述半导体基板的另一个面侧,固定于上述安装基板的散热材料,上述第一配线与电流表及电压表电连接,并能够对每个区域进行测温,上述第二配线与电源电连接,并能够对每个区域进行加热。
地址 日本东京都