发明名称 |
喷射清洗方法以及装置 |
摘要 |
本发明提供一种喷射清洗方法以及装置,其采用雾化液体喷射的方法去除半导体硅片上的颗粒玷污,同时还包括一即时干燥步骤,所述即时干燥步骤与液体喷射步骤交替进行。本发明的喷射清洗方法以及装置利用干燥气体即时地吹干已清洗的硅片表面区域,间隔喷射的液体在每个开启周期之初总能喷射在干燥的硅片表面,从而有效地提高了清洗的效率。 |
申请公布号 |
CN101179009B |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN200710170752.2 |
申请日期 |
2007.11.21 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
孙震海;韩瑞津 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅 |
主权项 |
一种喷射清洗方法,所述喷射清洗方法包括一液体喷射步骤,采用雾化液体喷射的方法去除半导体硅片上的颗粒玷污,其特征在于,所述喷射清洗方法还包括一即时干燥步骤,在对单一硅片部分区域的清洗过程中,所述即时干燥步骤与液体喷射步骤交替进行,所述即时干燥步骤利用干燥气体即时干燥刚刚清洗过的单一硅片表面的部分区域,直至完成对所述单一硅片全部区域的清洗。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 |