发明名称 | 一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法,对晶圆衬底依次进行稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、净化处理和起片处理后,得到晶圆衬底上的薄膜,该方法还包括:在沉积处理和氢去除处理之间进行净化处理。本发明提供的方法在每次沉积晶圆的衬底上薄膜时,去除薄膜表面的氢含量,从而使得最终得到的晶圆衬底上薄膜的张应力增大。 | ||
申请公布号 | CN101671817B | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
申请号 | CN200810222116.4 | 申请日期 | 2008.09.09 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 徐强;蔡明 |
分类号 | C23C16/513(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/513(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 宋志强;麻海明 |
主权项 | 一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法,对晶圆衬底依次进行第一稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、第一净化处理和起片处理后,得到晶圆衬底上的薄膜,其特征在于,该方法还包括:在沉积处理和氢去除处理之间进行第二净化处理;所述第一稳定化处理为向放置晶圆的反应炉中通入前驱气体;所述第一净化处理及第二净化处理都为采用抽气的方式将放置晶圆的反应炉中的所有气体抽走,去除该晶圆衬底上的薄膜表面的游离态的氢。 | ||
地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 |