发明名称 |
一种融入了阻变材料的多位快闪存储器 |
摘要 |
本发明公开了一种多位快闪存储器,包括衬底、源端和漏端,以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅(对应于浮栅型闪存)或氮化硅陷阱层(对应于分离陷阱型闪存)、阻挡氧化层、金属下电极、阻变材料层和金属上电极。其中金属下电极在读取时,通过外面串联的电阻接地,使得阻变材料层起到明显的分压效果。本发明以现有的快闪存储单元为基本架构,融入了阻变材料存储单元,与当前的主流闪存制备工艺兼相兼容,并在很大程度上提高了单位面积上的存储密度。 |
申请公布号 |
CN102194849A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201010124705.6 |
申请日期 |
2010.03.12 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
黄如;秦石强;蔡一茂;唐粕人;张丽杰 |
分类号 |
H01L27/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
李稚婷 |
主权项 |
一种多位快闪存储器,包括衬底、源端和漏端,以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅和阻挡氧化层,其特征在于,在阻挡氧化层上依次层叠金属下电极、阻变材料层和金属上电极。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |