| 发明名称 | 用于制作半导体器件的应力层的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于制作半导体器件的应力层的刻蚀方法，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域、浅沟槽区域和PMOS区域的半导体器件，所述半导体器件的上表面形成有张应力层；以光刻胶图层遮蔽所述NMOS区域上的张应力层，暴露出所述浅沟槽区域和PMOS区域的张应力层；采用各向异性的主刻蚀对所述浅沟槽区域和PMOS区域上的张应力层进行刻蚀，以除去至少部分的张应力层；和采用各向同性的过刻蚀去除所述浅沟槽区域和PMOS区域上残余的张应力层。使用该方法能够较好地去除残余的不需要的应力层，不会破坏需要应力的NMOS区域的张应力层。 | ||
| 申请公布号 | CN102194753A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010131920.9 | 申请日期 | 2010.03.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄敬勇;沈满华;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种用于制作互补型金属氧化物半导体器件的应力层的刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：提供一个具有NMOS区域、浅沟槽区域和PMOS区域的半导体器件，所述半导体器件的上表面形成有张应力层；以光刻胶图层遮蔽所述NMOS区域上的张应力层，暴露出所述浅沟槽区域和PMOS区域的张应力层；采用各向异性的主刻蚀对所述浅沟槽区域和PMOS区域上的张应力层进行刻蚀，以除去所述浅沟槽区域和PMOS区域至少部分的张应力层；和采用各向同性的过刻蚀去除所述浅沟槽区域和PMOS区域上残余的张应力层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||