发明名称 |
导电薄膜的制备方法及其产品 |
摘要 |
本发明公开了一种导电薄膜的制备方法及其产品。该导电薄膜的制备方法包括以下步骤:A)按莫尔份量1∶1∶1比例取正硅酸乙酯、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物,得到含硅的反应物;B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶剂混合,并均匀搅拌12h以上,得到半成品涂料;C)将占总质量3~50%的导电材料加入到半成品涂料中进行均匀搅拌,得到涂料成品;D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上,于温度为70~250℃的条件下加热5~60min,从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜。本发明通过导电薄膜的制备方法制备导电薄膜,可降低产品生产成本及提高透光度。 |
申请公布号 |
CN102194541A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201010124677.8 |
申请日期 |
2010.03.06 |
申请人 |
富港电子(东莞)有限公司;正崴精密工业股份有限公司 |
发明人 |
黄志豪 |
分类号 |
H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I |
主分类号 |
H01B5/14(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A)按莫尔份量1∶1∶1比例取正硅酸乙酯、3‑(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷及乙烯基三甲氧基硅烷中的一种或两种混合物,得到含硅的反应物;B)将步骤A)中含硅的反应物与为上述含硅的反应物总莫尔数2倍的水及酒精等溶剂混合,并均匀搅拌12h以上,得到半成品涂料;C)将占总质量3~50%的导电材料加入到半成品涂料中进行均匀搅拌,得到涂料成品;D)将涂料以涂布方式涂布于成膜基材上,于温度为70~250℃的条件下加热5~60min,从而在成膜基材表面形成连续性孔洞导电薄膜。 |
地址 |
523455 广东省东莞市东坑镇工业大道 |