| 发明名称 | 半导体发光元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体发光元件的制造方法，用于使具有第一基板、半导体层和第一金属层的第一层叠体与具有第二基板和第二金属层的第二层叠体贴合，其特征在于，包括：将上述第一层叠体的劈开方向与上述第二层叠体的劈开方向错开，使上述第一金属层与上述第二金属层接触而重叠的工序，以及在对上述第一层叠体与上述第二层叠体之间施加负载的状态下进行升温，使上述第一层叠体与上述第二层叠体贴合的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102194933A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110066967.6 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 赤池康彦;西胁若菜 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 杨谦;胡建新 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件的制造方法，用于使具有第一基板、半导体层和第一金属层的第一层叠体与具有第二基板和第二金属层的第二层叠体贴合，其特征在于，包括：将上述第一层叠体的劈开方向与上述第二层叠体的劈开方向错开，使上述第一金属层与上述第二金属层接触而重叠的工序，以及在对上述第一层叠体与上述第二层叠体之间施加负载的状态下进行升温，使上述第一层叠体与上述第二层叠体贴合的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||