半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。

主权项

一种半导体发光器件，包括：n型半导体层，其包含氮化物半导体；p型半导体层，其包含氮化物半导体；发光部，其被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括：势垒层，其包含InbGa1‑bN(0≤b＜1)并具有层厚度tb(纳米)；以及阱层，其与所述势垒层层叠，包含InwGa1‑wN(0＜w＜1，b＜w)并具有层厚度tw(纳米)；以及层叠体，其被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括：第一层，其包含InxGa1‑xN(0≤x＜1)并具有层厚度tx(纳米)；以及第二层，其与所述第一层层叠，包含InyGa1‑yN(0＜y＜1，x＜y＜w)并具有层厚度ty(纳米)，所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍，假设所述发光部的所述平均In组成比为(w×tw+b×tb)/(tw+tb)，所述层叠体的所述平均In组成比为(x×tx+y×ty)/(tx+ty)，并且所述势垒层的所述层厚度tb为10nm或更小。