发明名称 一种抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤
摘要 本发明涉及一种用于数据传输和光器件中的抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤,包括有芯层和包覆芯层的包层,其特征在于所述的芯层半径R1为28~50微米,芯层折射率剖面呈抛物线形,α为1.9~2.2,最大相对折射率差Δ1%max为1.9%~2.5%,芯层外的包层从内到外依次为内包层和/或下陷内包层、外包层;所述的内包层半径R2为28~55微米,相对折射率差Δ2%为-0.1%~0.1%;所述的下陷内包层半径R3为28~60微米,相对折射率差Δ3%为-0.15%~-0.8%。本发明提高了多模光纤的带宽和数值孔径,使得光纤的聚光能力大大增强,更易于与LED光源耦合;本发明显著降低了光纤宏弯附加衰减,提高了光纤的抗弯曲性能,增强了光功率传输性能。
申请公布号 CN102193142A 申请公布日期 2011.09.21
申请号 CN201110178288.8 申请日期 2011.06.28
申请人 长飞光纤光缆有限公司 发明人 张树强;刘泳涛;汪松;何珍宝;徐进
分类号 G02B6/036(2006.01)I;G02B6/028(2006.01)I 主分类号 G02B6/036(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 胡建平
主权项 一种抗弯曲大芯径高数值孔径多模光纤,包括有芯层和包覆芯层的包层,其特征在于所述的芯层半径R1为28~50微米,芯层折射率剖面呈抛物线形,α为1.9~2.2,最大相对折射率差Δ1%max为1.9%~2.5%,芯层外的包层从内到外依次为内包层和/或下陷内包层、外包层;所述的内包层半径R2为28~55微米,相对折射率差Δ2%为‑0.1%~0.1%;所述的下陷内包层半径R3为28~60微米,相对折射率差Δ3%为‑0.15%~‑0.8%。
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