发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
减少向电流驱动型的半导体装置的栅极的因寄生电感而引起的干扰噪声,使栅极驱动高精度化及稳定化。半导体装置(100)包括电流驱动型的半导体元件(3)、控制半导体元件的栅极驱动电路(11)及连接端子部,半导体元件具有:栅极电极焊盘(1),形成在氮化物半导体层的层叠体上;欧姆电极焊盘(2)及(5),连接端子部具有:与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(6);与欧姆电极焊盘连接的欧姆电极端子(10);与欧姆电极焊盘连接的栅极驱动用端子(7);与栅极电极焊盘连接的栅极端子(8),栅极驱动电路的输入端子与栅极驱动用端子连接,栅极驱动电路的输出端子与栅极端子连接,将栅极驱动电路的基准电位作为欧姆电极焊盘的电位。 |
申请公布号 |
CN102195502A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201110050229.2 |
申请日期 |
2011.03.02 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
井腰文智;山际优人;桥诘真吾;柳原学;上本康裕 |
分类号 |
H02M7/48(2007.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L23/58(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I |
主分类号 |
H02M7/48(2007.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
黄剑锋 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:进行电力转换的电流驱动型的第一半导体元件;第一栅极驱动电路,控制所述第一半导体元件的电力转换;以及连接端子部,所述第一半导体元件,具有:氮化物半导体层的层叠体,被层叠在衬底上;栅极电极,被形成在所述层叠体上;第一欧姆电极以及第二欧姆电极,被形成在所述衬底上的所述栅极电极的两侧;栅极电极焊盘,位于所述第一半导体元件上,并且经由布线与所述栅极电极连接;以及第一欧姆电极焊盘以及第二欧姆电极焊盘,位于所述第一半导体元件上,并且分别经由布线与所述第一欧姆电极以及所述第二欧姆电极连接,所述连接端子部,具有:第一欧姆电极端子,由第一连接材料与所述第一欧姆电极焊盘连接;第二欧姆电极端子,由第二连接材料与所述第二欧姆电极焊盘连接;栅极驱动用端子,由第三连接材料与所述第一欧姆电极焊盘连接;以及栅极端子,由第四连接材料与所述栅极电极焊盘连接,所述第一栅极驱动电路的输入端子与所述栅极驱动用端子连接,所述第一栅极驱动电路的输出端子与所述栅极端子连接,将所述第一栅极驱动电路的基准电位作为所述第一欧姆电极焊盘的电位。 |
地址 |
日本大阪府 |