半导体发光元件

摘要

本发明提供一种半导体发光元件，其在维持发光输出的同时，还能降低正向电压且可靠性优异。半导体发光元件具备Si衬底(1)、金属密合层(2)、反射金属层(3)、SiO2膜(4)、欧姆接触接合部(5)、含有Mg掺杂的GaP层(6A)和Zn掺杂的(6B)的GaP层(6)、p型GaInP中间层(7)、p型AlGaInP包覆层(8)、未掺杂多重量子阱活性层(9)、n型AlGaInP包覆层(10)、n型AlGaInP窗口层(11)、n型GaAs接触层(12)、第1电极(13)、第2电极(14)，其中，由包覆层(8)、活性层(9)、包覆层(10)构成的发光部与欧姆接触接合部(5)相距300nm以上。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，其具备：含有发光部并在表面具有第1电极的外延层，设置成与所述外延层连接的欧姆接触接合部，设置成与所述欧姆接触接合部连接的对所述发光部发出的光不透明且反射所述光的反射金属层，一个面通过金属密合层与所述反射金属层接合，另一面具有第2电极的支持衬底，其中，所述欧姆接触接合部含有Be，而且相距所述发光部300nm以上。