| 发明名称 | 含层间绝缘部分的低漏电电容器 | ||
| 摘要 | 一种集成电路结构，包括：包含第一区和第二区的半导体衬底；位于半导体衬底第二区内的绝缘区；位于绝缘区上方的层间电介质(ILD)。一个晶体管位于第一区中，该晶体管包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的栅电极。第一导线和第二导线位于绝缘区上方。第一导线和第二导线基本平行，并且在第一方向延伸。第一金属线和第二金属线位于底层金属层(M1)内，并且在第一方向延伸。第一金属线和第二金属线分别与第一导线和第二导线基本垂直地重叠。第一金属线和第二金属线形成电容器的两个电容器电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101714551B | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN200910146980.5 | 申请日期 | 2009.06.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 罗明健;郑光茗;庄学理 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永;马铁良 |
| 主权项 | 一种集成电路结构，包括：包含第一区和第二区的半导体衬底；位于半导体衬底第二区内的绝缘区；位于绝缘区上方的层间电介质；位于第一区内的晶体管，该晶体管包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的栅电极；位于绝缘区上方的第一导线和第二导线，其中，第一导线和第二导线基本上彼此平行，并且沿第一方向延伸；以及在位于层间电介质的上方的金属层内的、沿第一方向延伸的第一金属线和第二金属线，第一金属线和第二金属线形成电容器的两个电容器电极，其中，金属层是底层金属层，并且其中第一金属线和第二金属线分别与第一导线和第二导线基本垂直地重叠。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||