薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，其中该晶体管的沟道的基本长度被缩短以微型化半导体装置。此外，本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置实现了高速操作和高性能。而且，此外，本发明的一个目的是提供一种制造方法，其中制造工艺被简化。本发明的半导体装置具有：在具有绝缘表面的衬底上形成的岛状半导体薄膜以及在该岛状半导体薄膜上形成的栅电极，其中通过高密度等离子体氧化该栅电极的表面使该栅电极变细，且沟道的基本长度被缩短。

主权项

一种制造薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶半导体薄膜；通过晶化该非晶半导体薄膜形成晶体半导体薄膜；通过刻蚀该晶体半导体薄膜形成岛状半导体薄膜；在该岛状半导体薄膜上形成栅极绝缘薄膜；在该栅极绝缘薄膜上形成导电薄膜；通过刻蚀该导电薄膜形成栅电极；以及通过使用高密度等离子体氧化该栅电极表面而使栅电极变细，其中所述高密度等离子体包含氧气、氢气和氩气。