晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置

摘要

本发明旨在提供一种接触电阻为低的晶体管及使用它的显示装置、电子设备及半导体装置。本发明的晶体管包括：包含赋予P型或N型的杂质元素的半导体膜；形成在其上的绝缘膜；以及，通过至少形成在所述绝缘膜中的接触孔与所述半导体膜电连接的电极或布线，其中，在所述半导体膜中，包含在深于预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第一范围(1×1020/cm3或更小)，并且包含在浅于所述预定的深度的区域中的所述杂质元素的浓度在第二范围(超过1×1020/cm3)；在深于所述半导体膜的与所述电极或布线接触的部分的区域中，所述杂质元素的浓度在所述第一范围。

主权项

一种半导体装置，包括：包含赋予P型或N型导电性的杂质元素的半导体膜；形成在所述半导体膜上的绝缘膜；以及通过形成于所述绝缘膜中的接触孔电连接于所述半导体膜的电极或布线，其中，所述半导体膜的第一区域中包含的所述杂质元素的浓度在第一范围内，并且所述半导体膜的第二区域中包含的所述杂质元素的浓度在第二范围内；所述浓度的第二范围高于所述浓度的第一范围；并且所述第二区域被置于所述第一区域和所述绝缘膜之间。