发明名称 |
多栅结构MOSFET模型的建模方法 |
摘要 |
本发明公开了一种多栅结构MOSFET模型的建模方法,所述方法包括:测量多栅结构MOSFET元件的SA、SB和SD参数,所述SA和SB分别为所述MOSFET元件两侧边缘分别到与其相邻最近的栅之间的距离,所述SD为相邻两根栅之间的距离;根据所述SA、SB、SD参数获取等效模型参数,根据所述等效模型参数建立所述多栅结构MOSFET模型。本发明的多栅结构MOSFET模型的建模方法可以正确建立多栅结构MOSFET模型,提高多栅结构MOSFET模型的仿真结果与实际MOSFET元件的电路参数的一致性。 |
申请公布号 |
CN102194691A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201010118016.4 |
申请日期 |
2010.03.03 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
何佳 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;顾珊 |
主权项 |
一种多栅结构MOSFET模型的建模方法,其特征在于,包括:测量多栅结构MOSFET元件的SA、SB和SD参数,所述SA和SB分别为所述MOSFET元件有源区两侧边缘分别到与其相邻最近的栅之间的距离,所述SD为相邻两根栅之间的距离;根据所述SA、SB、SD参数获取等效模型参数SAeff和SBeff,所述等效模型参数包括: <mrow> <msub> <mi>SA</mi> <mi>eff</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mrow> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>NF</mi> </mfrac> <msubsup> <mi>Σ</mi> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mn>0</mn> </mrow> <mrow> <mi>NF</mi> <mo>-</mo> <mn>1</mn> </mrow> </msubsup> <mfrac> <mn>1</mn> <mrow> <mi>SA</mi> <mo>+</mo> <mn>0.5</mn> <mo>·</mo> <msub> <mi>L</mi> <mi>drawn</mi> </msub> <mo>+</mo> <mi>i</mi> <mo>·</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>SD</mi> <mo>+</mo> <msub> <mi>L</mi> <mi>drawn</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> </mrow> </mfrac> <mo>-</mo> <mn>0.5</mn> <msub> <mi>L</mi> <mi>drawn</mi> </msub> </mrow> <mrow> <msub> <mi>SB</mi> <mi>eff</mi> </msub> <mo>=</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mrow> <mfrac> <mn>1</mn> <mi>NF</mi> </mfrac> <msubsup> <mi>Σ</mi> <mrow> <mi>i</mi> <mo>=</mo> <mn>0</mn> </mrow> <mrow> <mi>NF</mi> <mo>-</mo> <mn>1</mn> </mrow> </msubsup> <mfrac> <mn>1</mn> <mrow> <mi>SB</mi> <mo>+</mo> <mn>0.5</mn> <mo>·</mo> <msub> <mi>L</mi> <mi>drawn</mi> </msub> <mo>+</mo> <mi>i</mi> <mo>·</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>SD</mi> <mo>+</mo> <msub> <mi>L</mi> <mi>drawn</mi> </msub> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </mfrac> </mrow> </mfrac> <mo>-</mo> <mn>0.5</mn> <msub> <mi>L</mi> <mi>drawn</mi> </msub> </mrow>其中,NF为所述MOSFET元件中的栅的个数,Ldrawn为所述MOSFET元件的沟道长度;根据所述等效模型参数建立所述多栅结构MOSFET模型。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |