| 发明名称 | 半导体元件的操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种半导体元件的操作方法，是利用体效应改善半导体元件的开启电流/关闭电流，以降低半导体元件的漏电流，该方法包括包括在半导体元件的导电性通道的形成期间以及半导体元件的非导电性通道的形成期间，提供大体上固定且非零的基体偏压至相对为低临界电压的半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN102194871A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010134917.2 | 申请日期 | 2010.03.12 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赵元鹏;张耀文;张馨文;林哲仕 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 一种半导体元件的操作方法，其特征在于其包括以下步骤：在一半导体元件的一导电性通道的形成期间以及该半导体元件的一非导电性通道的形成期间，提供一固定且非零的基体偏压至该半导体元件。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||