| 发明名称 | 一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法，包括如下步骤：将制绒清洗后的N型硅片在氮气气氛中进行热处理，接着升温并通硼源进行扩散；扩散完成后降温并通氮气完成扩散过程。本发明的扩散方法可以显著提升N型硅片表面硼浓度，避免了后续金属化烧结的困难，有利于提升整个N型晶体硅太阳电池的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102191562A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110103902.4 | 申请日期 | 2011.04.25 |
| 申请人 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 | 发明人 | 杨智;王栩生;章灵军 |
| 分类号 | C30B31/08(2006.01)I | 主分类号 | C30B31/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 陶海锋;陆金星 |
| 主权项 | 一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将制绒清洗后的N型硅片在750~900℃、氮气气氛中进行热处理，氮气流量为5~8L/min；(2) 升温至1000~1100℃，通硼源进行扩散，氮气流量为10~15L/min，氧气流量为0.1~1L/min，BBr3流量为1~10L/min；(3) 降温至750~800℃，通氮气完成扩散过程，氮气流量为5~10L/min。 | ||
| 地址 | 215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 | ||