| 发明名称 | 一种形成两相邻深N阱的隔离结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成两相邻深N阱的隔离结构的方法，通过在形成浅沟槽隔离的步骤之后形成两相邻深N阱，使得该两相邻深N阱避免了由形成浅沟槽隔离的步骤中的退火工艺导致的横向扩散，从而有效提高两相邻深N阱之间的击穿电压，进而实现两相邻深N阱之间的更小间隔。 | ||
| 申请公布号 | CN102194733A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010128888.9 | 申请日期 | 2010.03.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐俊 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种形成两相邻深N阱的隔离结构的方法，所述隔离结构包括在所述两相邻深N阱之间的浅沟槽隔离，所述两相邻深N阱的深度深于所述浅沟槽隔离，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤1，提供P型硅衬底；步骤2，在所述P型硅衬底中形成所述浅沟槽隔离；步骤3，在所述浅沟槽隔离的两侧形成所述两相邻深N阱。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||