自旋存储器和自旋晶体管

摘要

本发明提供一种自旋存储器和自旋晶体管，该自旋存储器具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按该顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，第3铁磁性层和第2铁磁性层经由第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在铁磁性层叠膜中从第1铁磁性层向第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据电流的大小对第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从第1铁磁性层的读出。

主权项

一种自旋存储器，其特征在于：具备包括铁磁性层叠膜的存储器单元，所述铁磁性层叠膜具有由第1铁磁性层、第1非磁性层、第2铁磁性层、第2非磁性层以及第3铁磁性层按所提及的顺序或者相反顺序层叠而成的层叠结构，上述第3铁磁性层和上述第2铁磁性层经由上述第2非磁性层而反铁磁性地交换耦合，在上述铁磁性层叠膜中从上述第1铁磁性层向上述第3铁磁性层流通单一方向的电流，根据上述电流的大小对上述第1铁磁性层进行不同磁化状态的写入，并且进行从上述第1铁磁性层的读出。