发明名称 光学封装中的原位污染物去除
摘要 本发明提供了一种控制光学封装的方法,波长转换器件的输入面上半导体激光器的输出光束在相对高功率的波长转换模式下的平均功率密度超过波长转换器件的输入面上半导体激光器的输出光束在相对低功率的污染物去除模式下的功率密度。在相对高功率的波长转换模式下,利用可调节的光学元件使波长转换器件的波长转换输出的最优强度值与表示波长转换器件的输入面的波导部分上半导体激光器的输出光束位置的最优坐标相关联。在相对低功率的污染物去除模式下,利用可调节光学元件使半导体激光器的输出光束横跨波长转换器件的输入面的波导部分扫描,同时保持波长转换器件的输入面上输出光束的功率密度低于输出光束在相对高功率的波长转换模式下的平均功率密度。公开并要求保护其它实施例。
申请公布号 CN102197553A 申请公布日期 2011.09.21
申请号 CN200980143645.8 申请日期 2009.10.29
申请人 康宁股份有限公司 发明人 U-B·格斯
分类号 H01S5/06(2006.01)I 主分类号 H01S5/06(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 毛力
主权项 一种控制光学封装的方法,所述光学封装包括半导体激光器、波长转换器件、配置为将所述半导体激光器的输出光束光耦合至所述波长转换器件的输入面的波导部分中的一个或多个可调节光学元件,所述方法包括在相对低功率的污染物去除模式和相对高功率的波长转换模式下的操作,其中:所述波长转换器件的波导部分包括污染物,所述污染物呈现激光功率密度燃烧阈值和激光功率密度蒸发阈值,在所述燃烧阈值之上时所述污染物可能燃烧,而在所述蒸发阈值之上时所述污染物可能蒸发;在相对高功率的波长转换模式下,所述波长转换器件的输入面上所述半导体激光器的输出光束的功率密度至少周期性地超过所述污染物的激光功率密度燃烧阈值;在相对低功率的污染物去除模式下,利用所述可调节光学元件使所述半导体激光器的输出光束横跨所述波长转换器件的输入面的波导部分扫描,同时保持所述波长转换器件的输入面上所述半导体激光器的输出光束的功率密度低于所述激光功率密度燃烧阈值且高于所述激光功率密度蒸发阈值;以及所述光学封装在相对低功率的污染物去除模式下工作足够长时间以减少污染物在相对高功率的波长转换模式工作期间在所述波长转换器件的波导部分中燃烧的可能性。
地址 美国纽约州