发明名称 |
一种非线性光学及铁电晶体二甲基铵四硼酸锗及其制备和用途 |
摘要 |
本发明涉及一种非线性光学及铁电晶体二甲基铵四硼酸锗及其制备和用途。其化学式为[Ge(B<sub>4</sub>O<sub>9</sub>)]·2CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>,分子量为323.97,属单斜晶系,空间群C2,单胞参数为a=10.249(1),b=9.449(1),<img file="dsa00000050971000011.GIF" wi="395" he="62" />α=γ=90°,β=131.76(2)°,<img file="dsa00000050971000012.GIF" wi="444" he="67" />Z=2。采用溶剂热法制备。二甲基铵四硼酸锗具有优良的非线性光学和铁电性能。其粉末SHG系数为KDP的2.0倍,与LBO相当。其剩余极化强度大约为0.98μC·cm<sup>-2</sup>,矫顽电场为22kV·cm<sup>-1</sup>,自发极化强度为1.26μC·cm<sup>-2</sup>。 |
申请公布号 |
CN102191548A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201010116292.7 |
申请日期 |
2010.03.02 |
申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
杨国昱;曹高娟 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C30B7/14(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1.一种具有非线性光学和铁电性能的晶体二甲基铵四硼酸锗,其特征在于:该晶体化学式为[Ge(B<sub>4</sub>O<sub>9</sub>)]·2CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>,分子量为:323.97,属单斜晶系,空间群C2(No.5),单胞参数为a=10.249(1)<img file="FSA00000050971100011.GIF" wi="56" he="60" />b=9.449(1)<img file="FSA00000050971100012.GIF" wi="56" he="61" />c=6.956(2)<img file="FSA00000050971100013.GIF" wi="59" he="53" />α=γ=90°,β=131.76(2)°,V=502.43(19)<img file="FSA00000050971100014.GIF" wi="75" he="65" />Z=2。 |
地址 |
350002 福建省福州市杨桥西路155号 |