半导体器件的制造方法

摘要

本发明能提高利用自对准硅化物处理工艺形成了金属硅化物层的半导体器件的性能。形成栅极绝缘膜7、栅极电极8a、8b、源极·漏极用n+型半导体区域9b及p+型半导体区域10b后，在半导体衬底1上形成金属膜及隔离膜，进行第1热处理，使金属膜与栅极电极8a、8b、n+型半导体区域9b及p+型半导体区域10b反应，由此形成由构成金属膜的金属元素M的单硅化物MSi构成的金属硅化物层41。然后，除去隔离膜及未反应的金属膜，进行第2热处理，稳定金属硅化物层41。接下来，不进行使半导体衬底1的温度高于第2热处理的热处理温度的处理。使第2热处理的热处理温度低于金属元素M的二硅化物MSi2的晶格大小与半导体衬底1的晶格大小一致的温度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下工序：(a)准备半导体衬底的工序，(b)在所述半导体衬底上形成元件分离区域，规定形成n沟道型场效应晶体管的活性区域和形成p沟道型场效应晶体管的活性区域的工序，(c)在所述半导体衬底上形成所述n沟道型场效应晶体管的栅极绝缘膜及所述p沟道型场效应晶体管的栅极绝缘膜的工序，(d)在所述n沟道型场效应晶体管的栅极绝缘膜上及所述p沟道型场效应晶体管的栅极绝缘膜上分别形成栅电极的工序，(e)在所述半导体衬底上形成所述n沟道型场效应晶体管的用于制造源极或漏极的半导体区域、及所述p沟道型场效应晶体管的用于制造源极或漏极的半导体区域的工序，(f)在包括所述n沟道型场效应晶体管的栅电极及半导体区域上、及所述p沟道型场效应晶体管的栅电极及半导体区域上的所述半导体衬底上形成金属膜的工序，(g)在所述金属膜上形成第1隔离膜的工序，(h)进行第1热处理使所述金属膜与所述n沟道型场效应晶体管的栅电极或半导体区域、以及使所述金属膜与所述p沟道型场效应晶体管的栅电极或半导体区域反应，形成金属硅化物层的工序，(i)在所述(h)工序之后除去所述第1隔离膜及构成所述金属膜的金属元素，在所述n沟道型场效应晶体管的栅电极或半导体区域的表面上及所述p沟道型场效应晶体管的栅电极或半导体区域的表面上残留所述金属硅化物层的工序，(j)进行第2热处理的工序，其特征在于，在所述(h)工序中，在使所述金属膜与所述p沟道型场效应晶体管的半导体区域反应时的所述金属膜的反应率低于使所述金属膜与所述n沟道型场效应晶体管的半导体区域反应时的所述金属膜的反应率的温度范围内，进行所述第1热处理。