发明名称 |
氧化物薄膜晶体管基板 |
摘要 |
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管基板。提供了一种能够提高显示器件的显示品质的氧化物薄膜晶体管(TFT)基板以及经由简单的工艺制造该氧化物TFT基板的方法。该氧化物TFT基板包括基板、栅极线、数据线、氧化物TFT以及像素电极。氧化物TFT的氧化物层包括:第一区域,具有半导体特性并包括沟道;以及第二区域,其是导电的并且围绕第一区域。第一区域的一部分电连接到像素电极,第二区域电连接到数据线。 |
申请公布号 |
CN102194831A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201110062902.4 |
申请日期 |
2011.03.16 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
尹弼相;李永旭;李禹根 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种氧化物薄膜晶体管基板,包括:基板;栅极线,设置在所述基板上;数据线,设置在所述基板上并与所述栅极线绝缘且交叉;氧化物薄膜晶体管,电连接到所述栅极线和所述数据线;以及像素电极,电连接到所述氧化物薄膜晶体管,其中所述氧化物薄膜晶体管的氧化物层包括:第一区域,具有半导体特性并包括沟道;和第二区域,其是导电的并围绕所述第一区域,其中所述第一区域电连接到所述像素电极,所述第二区域电连接到所述数据线。 |
地址 |
韩国京畿道 |