一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管

摘要

一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管中引入沟槽型多晶硅体电极，通过优化体电极上的电压，可以改善传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管电场在沟槽栅下集中的缺点，有效的降低了沟槽栅底部的峰值电场，提高了器件的击穿电压；并且，在器件正向导通时，体电极上的电压可以在体电极厚氧化层外侧形成多子积累层，降低导通电阻，从而降低正向导通时的通态损耗。

主权项

一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管，包括金属化集电极(1)、P型集电区(2)、N‑漂移区(3)、P+体区(4)、P型基区(5)、N+源区(6)、沟槽型多晶硅栅电极(7)、二氧化硅栅氧化层(8)、金属化发射极(9)；金属化集电极(1)位于P型集电区(2)的背面，N‑漂移区(3)位于P型集电区(2)的正面；N+源区(6)和P+体区(4)并排位于金属化发射极(9)下方、且与金属化发射极(9)相连，其中P+体区(4)下方直接与N‑漂移区(3)相连，而N+源区(6)与N‑漂移区(3)之间间隔着P型基区(5)；沟槽型多晶硅栅电极(7)在器件顶部位于金属化发射极(9)的一侧，其表面被二氧化硅栅氧化层(8)所包围；二氧化硅栅氧化层(8)的侧壁分别与N+源区(6)、P型基区(5)和N‑漂移区(3)接触，其底部与N‑漂移区(3)接触；其特征在于，所述沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管还具有体电极(10)和二氧化硅体电极氧化层(11)；所述体电极(10)在器件顶部位于金属化发射极(9)的另一侧，其表面被二氧化硅体电极氧化层(11)所包围；二氧化硅体电极氧化层(11)的侧壁分别与P+体区(4)、N‑漂移区(3)接触，其底部与N‑漂移区(3)接触。