| 发明名称 | 半导体器件制造方法和衬底加工方法及设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体器件制造方法和衬底加工方法及设备。本文描述的实施方式涉及改善衬底质量和半导体器件性能，这由污染物或颗粒渗入具有硅膜的衬底所导致，所述硅膜形成于所述衬底上，所述实施方式还涉及形成具有小的表面粗糙度的硅膜。提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括在衬底上形成硅膜，供应氧化种子至所述衬底上，在所述硅膜上执行热处理，将所述硅膜的表面层改变成氧化硅膜，以及去除所述氧化硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102194660A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110048450.4 | 申请日期 | 2011.02.23 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 王杰;笠原修;汤浅和宏;西田圭吾 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成硅膜；通过供应氧化种子至所述衬底上，并在所述硅膜上执行热处理来将所述硅膜的表面层改变成氧化硅膜；以及去除所述氧化硅膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||