半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供半导体器件及其制造方法，可以在不使特性恶化的情况下将半导体器件微型化。该半导体器件包括：半导体衬底，具有主表面；源极区域和漏极区域，在主表面中相互分开地形成；栅极电极层，在主表面之上夹在源极区域和漏极区域之间形成；第一导电层，以使其与源极区域的表面接触的方式形成；以及第二导电层，以使其与漏极区域的表面接触的方式形成。在主表面中形成凹陷，使所述凹陷从第一导电层和源极区域之间的接触区域、经过栅极电极层下方的部分、延伸到第二导电层和漏极区域之间的接触区域。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有主表面；源极区域和漏极区域，在所述主表面中相互分开地形成；栅极电极层，在所述主表面之上夹在所述源极区域和所述漏极区域之间形成；第一导电层，以使其与所述源极区域的表面接触的方式形成；以及第二导电层，以使其与所述漏极区域的表面接触的方式形成，其中在所述主表面中以如下方式形成凹陷，使所述凹陷从所述第一导电层和所述源极区域之间的接触区域、经过所述栅极电极层下方的部分、延伸到所述第二导电层和所述漏极区域之间的接触区域。