半导体元件的形成方法

摘要

本发明提供在半导体元件的制造过程中移除硬掩模的方法，该方法包括如下步骤：于基底上的结构之上形成保护层，例如为底部抗反射涂层或其他介电层，并沿着结构的侧边形成间隙壁。在一实施例中，这些结构为栅极电极，具有硬掩模形成于其上，以及间隙壁沿着栅极电极的侧边形成。在保护层之上形成光致抗蚀剂层，且光致抗蚀剂层可以被图案化，以移除在部分保护层上的光致抗蚀剂层的一部分，之后进行回蚀工艺，使得邻接间隙壁的保护层残留以保护间隙壁，然后当保护层保护间隙壁时移除硬掩模。本发明有利于形成的元件的操作。

主权项

一种半导体元件的形成方法，包括：提供一基底；形成一栅极介电层在该基底上，以及一栅极电极在该栅极介电层之上；形成一掩模层在该栅极电极之上；形成一保护层在该基底与该掩模层之上；形成一光致抗蚀剂层在该保护层之上；移除该光致抗蚀剂层与该保护层的一部分，借此暴露出该掩模层，在该移除步骤之后，该保护层残留在该栅极电极的侧壁上；在移除该光致抗蚀剂层与该保护层的该部分之后，移除该掩模层；以及移除该保护层残留的部分。