发明名称 硅麦克风的制造方法
摘要 本发明提供了一种硅麦克风的制造方法,该方法是采用氧化硅作为支撑层的材料,这样可以把背板与支撑层固定连接的一端垫高,进而降低产品的寄生电容、提高绝缘电阻。
申请公布号 CN102196352A 申请公布日期 2011.09.21
申请号 CN201110130688.1 申请日期 2011.05.19
申请人 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声科技(新加坡)有限公司 发明人 颜毅林;张小麟;孟珍奎;杨斌;张睿;葛舟;王琳琳
分类号 H04R31/00(2006.01)I 主分类号 H04R31/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种制造硅麦克风的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:步骤1:提供一硅基底,硅基底表面上沉积第一绝缘层,在第一绝缘层上沉积振膜;步骤2:在第一绝缘层和振膜上沉积一定厚度的氧化硅以作为支撑层,在该支撑层上沉积第二绝缘层;步骤3:在所述第二绝缘层上沉积背板,在背板上刻蚀出贯穿背板的声孔;步骤4:在硅基底和第一绝缘层上刻蚀出贯穿二者的背腔;步骤5:通过声孔释放与振膜振动部分相对的支撑层以形成振动空间。
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