发明名称 |
高频耦合器及通信装置 |
摘要 |
本发明涉及高频耦合器及通信装置。该高频耦合器包括:接地部;耦合电极,其面向接地部,并且被支撑成间隔开相对于高频信号的波长可忽略的高度;以及谐振单元,其用于使经由传输路径流入耦合电极的电流增大;其中,耦合电极在具有第一极性的电荷被累积的位置处具有弯折部分,使得当高频信号经由传输路径向耦合电极输入并产生驻波时,具有第二极性的电荷在朝向电场的辐射方向的前面中聚集;并且其中,形成微小偶极子,所述微小偶极子由将累积在耦合电极中的电荷的中心与累积在接地部中的镜像电荷的中心连接的线段构成,并且朝向彼此面对布置使得沿微小偶极子的方向形成的角度θ大致为0度的通信对方侧的高频耦合器发送高频信号。 |
申请公布号 |
CN102195115A |
申请公布日期 |
2011.09.21 |
申请号 |
CN201110054846.X |
申请日期 |
2011.03.07 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
和城贤典 |
分类号 |
H01P5/00(2006.01)I;H01P5/08(2006.01)I;H04B5/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01P5/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
王安武 |
主权项 |
一种高频耦合器,包括:接地部;耦合电极,其面向所述接地部,并且被支撑成间隔开相对于高频信号的波长可忽略的高度;以及谐振单元,其用于使经由传输路径流入所述耦合电极的电流增大;其中,所述耦合电极在具有第一极性的电荷被累积的位置处具有弯折部分,使得当高频信号经由所述传输路径向所述耦合电极输入并产生驻波时,具有第二极性的电荷在朝向电场的辐射方向的前面中聚集;并且其中,形成微小偶极子,所述微小偶极子由将累积在所述耦合电极中的电荷的中心与累积在所述接地部中的镜像电荷的中心连接的线段构成,并且朝向彼此面对布置使得沿所述微小偶极子的方向形成的角度θ大致为0度的通信对方侧的高频耦合器发送所述高频信号。 |
地址 |
日本东京都 |