| 发明名称 | 栅极介质层制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种栅极介质层制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；执行离子注入工艺，在半导体衬底中形成阱区；在所述半导体衬底上形成栅极介质层。本发明在形成浅沟槽隔离结构之后未形成牺牲氧化层，因此无需进行长时间的热处理过程，并且本发明省略了去除牺牲氧化层的步骤，可避免在浅沟槽隔离结构的边缘区域出现边沟，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102194684A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201010123629.7 | 申请日期 | 2010.03.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙鹏;刘丽丽;仇峰 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种栅极介质层制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成浅沟槽隔离结构；执行离子注入工艺，在半导体衬底中形成阱区；在所述半导体衬底上形成栅极介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||