| 发明名称 | 半导体装置、半导体元件用基板以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置在基板(2)和半导体元件(3)之间设置有由硅树脂形成的多孔结构体层(4)。作为另一种选择，在半导体装置(21)的基板(22)和半导体元件(23)之间设置有由下述化合物形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(24)，所述化合物通过对选自由单烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷组成的组的至少一种烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷进行水解和缩合得到。作为再一种选择，在树脂基板(32)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的附着层(33)，并且在附着层(33)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(34)。 | ||
| 申请公布号 | CN102194764A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110035053.3 | 申请日期 | 2011.02.09 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 佐藤圭吾;祐谷重德 |
| 分类号 | H01L23/14(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;C08L83/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置包含：基板；和半导体元件；其特征在于：在所述基板和所述半导体元件之间设置有由硅树脂形成的多孔结构体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||