| 发明名称 |
Méthode de production et de modification d'imperfections électriquement efficaces dans le germanium, le silicium ou des semi-conducteurs similaires |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR1097231(A) |
申请公布日期 |
1955.07.01 |
| 申请号 |
FRD1097231 |
申请日期 |
1953.12.23 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
GEIST DIETRICH;GRAF LUDWIG;SEILER KARL |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/322;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/72 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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