| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung von Polysiliziumelektroden auf Halbleiterbauelementen, bei dem eine Polysiliziumschicht (3) auf einer Oberseite eines Substrates (1) aufgebracht wird, eine Hilfsschicht (4) auf die Polysiliziumschicht (3) aufgebracht wird, eine Schicht aus Fotolack auf die Hilfsschicht (4) aufgebracht und zu einer Lackmaske (5) strukturiert wird, die Hilfsschicht (4) entsprechend den seitlichen Abmessungen der Lackmaske (5) strukturiert wird, die Hilfsschicht (4) vor dem Ätzen der Polysiliziumschicht (3) mit seitlichen Aushöhlungen (6), versehen wird und unter Verwendung der strukturierten Hilfsschicht (4) eine Ätzung durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzung unter Verwendung der Lackmaske (5) und der strukturierten Hilfsschicht (4) durchgeführt wird und die Polysiliziumschicht (3) zu einer Polysiliziumelektrode (8) mit gerundeten Kanten (7) geätzt wird.
|
