| 发明名称 |
Method for Fabrication of III-Nitride Heterojunction Semiconductor Device |
| 摘要 |
A III-nitride heterojunction power semiconductor device having a barrier layer that includes a region of reduced nitrogen content.
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| 申请公布号 |
US2011223746(A1) |
申请公布日期 |
2011.09.15 |
| 申请号 |
US201113115337 |
申请日期 |
2011.05.25 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
BRIERE MICHAEL A. |
| 分类号 |
H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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