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DFB Laserdiode mit lateraler Kopplung, aufweisend: a. zumindest ein Halbleitersubstrat (10); b. zumindest eine auf dem Halbleitersubstrat angeordnete aktive Schicht (40); c. zumindest einen oberhalb der aktiven Schicht (40) angeordneten Wellenleitersteg (70); d. zumindest eine neben dem Wellenleitersteg (70) oberhalb der aktiven Schicht (40) angeordnete periodische Oberflächenstruktur (110); und e. zumindest eine unterhalb und oberhalb der aktiven Schicht (40) angeordnete Wellenleiterschicht (30, 50), wobei die untere Wellenleiterschicht (30) eine Dicke im Bereich von 1 μm bis 5 μm, bevorzugt von 1,5 μm bis 3 μm und besonders bevorzugt von von 2,0 μm bis 2,5 μm aufweist und die obere Wellenleiterschicht (50) eine Dicke im Bereich von 15 nm bis 100 nm und bevorzugt von 20 nm bis 50 nm aufweist.
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