Verspannter Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Verspannter Feldeffekttransistor (40) mit: einem Siliziumsubstrat (44); einem Gateisolator (54) über dem Siliziumsubstrat; einer Gateelektrode (62) über dem Gateisolator; einem Kanalgebiet (68) in dem Siliziumsubstrat unterhalb der Gateelektrode; einem ersten eingebetteten Silizium/Germanium-Gebiet (76) mit einer ersten Dicke, das mit dem Kanalgebiet in Kontakt ist, wobei das erste eingebettete Silizium/Germanium-Gebiet (76) eine nicht dotierte epitaktisch aufgewachsene Schicht aus Silizium/Germanium aufweist; und einem zweiten eingebetteten Silizium/Germanium-Gebiet (82) mit einer zweiten Dicke, die größer ist als die erste Dicke, das von dem Kanalgebiet beabstandet ist, wobei das zweite eingebettete Silizium/Germanium-Gebiet (82) eine in-situ-dotierte epitaktisch aufgewachsene Schicht aus Silizium/Germanium aufweist.