发明名称 VERFAHREN ZUM ZÜCHTEN EINES GAN-EINZELKRISTALLS, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES GAN-SUBSTRATS, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEMENTS AUF GAN- BASIS UND ELEMENT AUF GAN-BASIS
摘要
申请公布号 AT522643(T) 申请公布日期 2011.09.15
申请号 AT20100156004T 申请日期 2006.03.31
申请人 TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD.;FURUKAWA CO., LTD.;MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION;DOWA HOLDINGS CO., LTD.;EPIVALLEY CO., LTD.;WAVESQUARE INC. 发明人 CHO, MEOUNG-WHAN;YAO, TAKAFUMI
分类号 C30B25/02;C30B25/18;C30B29/40;H01L21/20;H01L33/12;H01L33/32 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
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