发明名称 |
电路基板和显示装置 |
摘要 |
本发明涉及电路基板和显示装置。本发明提供一种在同一基板上形成有顶栅型TFT和底栅型TFT的电路基板中,能够提高TFT的可靠性的电路基板。本发明的电路基板,在基板上设置有从基板侧起叠层栅极电极、栅极绝缘膜和半导体层的底栅型薄膜晶体管,和从基板侧起叠层半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极的顶栅型薄膜晶体管,上述电路基板在基板与顶栅型薄膜晶体管的半导体层之间具有2个以上的绝缘膜,上述2个以上的绝缘膜包括:在基板与底栅型薄膜晶体管的栅极电极之间配置的底涂膜,和底栅型薄膜晶体管的栅极绝缘膜。 |
申请公布号 |
CN101681931B |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN200880018540.5 |
申请日期 |
2008.05.19 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
森胁弘幸 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种电路基板,其在基板上设置有从基板侧起叠层第一栅极电极、第一栅极绝缘膜和第一半导体层的底栅型薄膜晶体管,和从基板侧起叠层第二半导体层、第二栅极绝缘膜和第二栅极电极的第一顶栅型薄膜晶体管,该电路基板的特征在于:该电路基板在基板与第一顶栅型薄膜晶体管的第二半导体层之间具有2个以上的绝缘膜,该2个以上的绝缘膜包括:配置在基板与底栅型薄膜晶体管的第一栅极电极之间的底涂膜、和底栅型薄膜晶体管的第一栅极绝缘膜,所述底涂膜包括氮化硅,所述底栅型薄膜晶体管的第一栅极绝缘膜包括氧化硅,在所述电路基板中,底栅型薄膜晶体管的第一栅极绝缘膜与第一顶栅型薄膜晶体管的第二栅极绝缘膜的膜厚不同。 |
地址 |
日本大阪府 |