提高钛硅化物方块电阻的片上均匀性的方法

摘要

本发明提供一种提高钛硅化物方块电阻的片上均匀性的方法，包括步骤：提供硅衬底，其上形成有屏蔽层；对晶圆表面进行大剂量的硅原子离子注入，硅原子穿透屏蔽层进入硅衬底中，在硅衬底表面造成晶格损伤；在屏蔽层上依次淀积介质保护层和旋涂光刻胶，并将光刻胶图形化，露出刻蚀窗口；以光刻胶为掩模，依次干法刻蚀介质保护层和屏蔽层，刻蚀过程停止于屏蔽层上；湿法刻蚀刻蚀窗口中剩余的屏蔽层，直至露出硅衬底；在刻蚀窗口中的硅衬底上形成钛硅化物接触。本发明在硅衬底上的屏蔽层还未经干法刻蚀时，进行大剂量的硅原子注入。此时屏蔽层的厚度非常均匀，硅原子注入硅衬底中的深度也比较均匀，在形成钛硅化物接触时，方块电阻的片上均匀性比较好。

主权项

一种提高钛硅化物方块电阻的片上均匀性的方法，包括步骤：提供硅衬底，其上形成有屏蔽层；对晶圆表面进行大剂量的硅原子离子注入，所述硅原子穿透所述屏蔽层进入所述硅衬底中，在所述硅衬底表面造成晶格损伤；在所述屏蔽层上依次淀积介质保护层和旋涂光刻胶，并将所述光刻胶图形化，露出刻蚀窗口；以所述光刻胶为掩模，依次干法刻蚀所述介质保护层和屏蔽层，所述刻蚀过程停止于所述屏蔽层上；湿法刻蚀所述刻蚀窗口中剩余的屏蔽层，直至露出所述硅衬底；以普通硅化物工艺在所述刻蚀窗口中的所述硅衬底上形成钛硅化物接触。